IC测试
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DRAM DDR5 | DDR4 | DDR3
VPT/亿豪结合多年DRAM IC测试经验 发出独家DRAM IC 自动化测试机台，并针对IC的特性，制定完善且高效率的测试流程，每颗IC经过自动化测试机台严格的测试流程，确保其兼容性、可靠度与完整性，满足各种类型不同测试需求。
VPT/亿豪使用DRAM IC自动化测试机台进行测试，制定出完善高效率的测试流程规划，每颗IC经过严格的测试流程，确保其测试过程的兼容性、可靠度与完整性，满足客户各种类型不同测试需求。
VPT/亿豪 提供许多符合 JEDEC 规范标准的组件测试项目。
DDR5是2021全新世代的内存，不仅运作频率大幅提升，更采用高带宽传输设计，增进整体效能。新世代的DDR5基础频率架构频率由 4800MT/s起跳，相较最高频率只有 3200MT/s的 DDR4，带宽大幅增加传输效能，另外DDR5工作电压仅有 1.1V，比起1.2V工作电压下的DDR4可提升更多节能省电表现并加入电源管理架构(PMIC)。DDR5两大特色具备更高效能、更低功耗及更强大数据完整性的全新规格。VPT/亿豪针对DDR5 IC特性，制定完善且高效率的测试流程，每颗IC经过自动化测试机台严格的测试流程，确保其高带宽传输、兼容性、可靠度与完整性，满足各种不同测试需求。
DDR4是一种高带宽的计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，是自1970年DRAM开始使用以来，现时最新的内存规格，旨在全面取代旧有的内存规格。
DDR3为了更省电、传输效率更快，使用SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。
LPDDR4 | LPDDR3
LPDDR4 具备卓越的高速与节能表现，每个引脚的数据传输速率可达 3,200 Mbit/s，整体性能较最快的 LPDDR3 提升约 50%。在 1.1V 的工作电压下，能耗较前一代产品降低约 40%，有效提升系统的续航与热效能表现。VPT / 亿豪科技针对 LPDDR4 的高带宽与低功耗特性，制定高精度测试流程，确保其在移动终端、平板及嵌入式设备中实现 稳定、高效的数据传输性能。
LPDDR3 提供更高的数据速率与带宽，同时兼具功率效率与存储密度的提升，数据传输速率最高可达 1600 MT/s。其引入了多项关键技术，如 写入均衡（Write Leveling）、命令/地址训练（CA Training）、片上终端匹配（ODT） 及 低 I/O 电容设计，并支持 封装上封装（PoP） 与 分立封装（Discrete） 类型，广泛应用于智能手机与移动装置。VPT / 亿豪科技提供符合 JEDEC 标准的 LPDDR3 全面测试服务，确保产品在功耗、信号完整性与可靠度方面达到最佳表现。
eMCP（Embedded Multi-Chip Package）是将 eMMC 控制芯片与 NAND Flash 存储芯片 整合于同一封装内的新一代封装技术。与传统 MCP 相比，eMCP 具备内建控制器，可高效管理大容量闪存，减少主芯片运算负担，并简化系统设计。VPT / 亿豪科技针对 eMCP 产品提供 功能验证、性能评估与兼容性测试 等完整服务，确保其在多芯片封装环境中保持高稳定性与一致性。